Справочник MOSFET. PMV90ENE

 

PMV90ENE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMV90ENE
   Маркировка: *GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для PMV90ENE

 

 

PMV90ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:718K  nxp
 pmv90ene.pdf

PMV90ENE PMV90ENE

PMV90ENE30 V, N-channel Trench MOSFET20 April 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discha

 7.1. Size:384K  tysemi
 pmv90en.pdf

PMV90ENE PMV90ENE

Product specificationPMV90EN30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 13 February 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSF

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top