PMV90ENE - аналоги и даташиты транзистора

 

PMV90ENE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMV90ENE
   Маркировка: *GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для PMV90ENE

 

PMV90ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:718K  nxp
 pmv90ene.pdf pdf_icon

PMV90ENE

PMV90ENE 30 V, N-channel Trench MOSFET 20 April 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discha

 7.1. Size:384K  tysemi
 pmv90en.pdf pdf_icon

PMV90ENE

Product specification PMV90EN 30 V, single N-channel Trench MOSFET Rev. 1 13 February 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSF

Другие MOSFET... PMV450ENEA , PMV48XPA2 , PMV52ENEA , PMV55ENEA , PMV60ENEA , PMV65ENEA , PMV74EPE , PMV88ENEA , IRFP450 , PMZ600UNEL , PMZ950UPEL , PMZB600UNEL , PMZB950UPEL , PSMN010-80YL , PSMN011-100YSF , PSMN012-100YL , PSMN012-60MS .

History: PDP3960

 

 
Back to Top

 


 
.