Справочник MOSFET. PMZ600UNEL

 

PMZ600UNEL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZ600UNEL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
   Тип корпуса: SOT883
 

 Аналог (замена) для PMZ600UNEL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ600UNEL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  nxp
 pmz600unel.pdf pdf_icon

PMZ600UNEL

PMZ600UNEL20 V, N-channel Trench MOSFET28 June 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 0.6 0.48

 5.1. Size:233K  nxp
 pmz600une.pdf pdf_icon

PMZ600UNEL

PMZ600UNE20 V, N-channel Trench MOSFET26 June 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 0.6

Другие MOSFET... PMV48XPA2 , PMV52ENEA , PMV55ENEA , PMV60ENEA , PMV65ENEA , PMV74EPE , PMV88ENEA , PMV90ENE , IRFZ24N , PMZ950UPEL , PMZB600UNEL , PMZB950UPEL , PSMN010-80YL , PSMN011-100YSF , PSMN012-100YL , PSMN012-60MS , PSMN013-60YL .

History: CHM634PAGP | NVMFS5A140PLZ

 

 
Back to Top

 


 
.