Справочник MOSFET. PMZ950UPEL

 

PMZ950UPEL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZ950UPEL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT883
 

 Аналог (замена) для PMZ950UPEL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ950UPEL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:717K  nxp
 pmz950upel.pdf pdf_icon

PMZ950UPEL

PMZ950UPEL20 V, P-channel Trench MOSFET28 June 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra

 5.1. Size:230K  nxp
 pmz950upe.pdf pdf_icon

PMZ950UPEL

PMZ950UPE20 V, P-channel Trench MOSFET10 July 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package:

Другие MOSFET... PMV52ENEA , PMV55ENEA , PMV60ENEA , PMV65ENEA , PMV74EPE , PMV88ENEA , PMV90ENE , PMZ600UNEL , P60NF06 , PMZB600UNEL , PMZB950UPEL , PSMN010-80YL , PSMN011-100YSF , PSMN012-100YL , PSMN012-60MS , PSMN013-60YL , PSMN014-80YL .

History: AP4455GEH-HF | RU20130L | NCE0102E

 

 
Back to Top

 


 
.