STP55N06L - описание и поиск аналогов

 

STP55N06L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP55N06L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 950 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP55N06L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP55N06L даташит

 ..1. Size:342K  st
 stp55n06l stp55n06lfi.pdf pdf_icon

STP55N06L

 7.1. Size:341K  st
 stp55n05l stp55n05lfi.pdf pdf_icon

STP55N06L

 8.1. Size:541K  st
 stb55nf06 stb55nf06-1 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf pdf_icon

STP55N06L

STB55NF06 - STB55NF06-1 STP55NF06 - STP55NF06FP N-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB55NF06 60V

 8.2. Size:793K  st
 stb55nf06t4 stp55nf06fp.pdf pdf_icon

STP55N06L

STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FP N-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET in D PAK, TO-220 and TO-220FP packages Datasheet production data Features TAB TAB Order code VDSS RDS(on) max. ID STB55NF06 3 50 A 3 1 STP55NF06 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP50N06 , STP50N06FI , STP50N06L , STP50N06LFI , STP53N05 , STP53N06 , STP55N05L , STP55N05LFI , IRFB4227 , STP55N06LFI , STP5N25L , STP5N25LFI , STP5N30 , STP5N30FI , STP5N30L , STP5N30LFI , STP5N50 .

History: STP55N05L

 

 

 


 
↑ Back to Top
.