STP55N06L - аналоги и даташиты транзистора

 

STP55N06L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STP55N06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 950 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP55N06L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP55N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  st
 stp55n06l stp55n06lfi.pdf pdf_icon

STP55N06L

 7.1. Size:341K  st
 stp55n05l stp55n05lfi.pdf pdf_icon

STP55N06L

 8.1. Size:541K  st
 stb55nf06 stb55nf06-1 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf pdf_icon

STP55N06L

STB55NF06 - STB55NF06-1STP55NF06 - STP55NF06FPN-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB55NF06 60V

 8.2. Size:793K  st
 stb55nf06t4 stp55nf06fp.pdf pdf_icon

STP55N06L

STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP50N06 , STP50N06FI , STP50N06L , STP50N06LFI , STP53N05 , STP53N06 , STP55N05L , STP55N05LFI , IRF3710 , STP55N06LFI , STP5N25L , STP5N25LFI , STP5N30 , STP5N30FI , STP5N30L , STP5N30LFI , STP5N50 .

History: FQPF8N60C | BMS4007 | ATP301

 

 
Back to Top

 


 
.