STP5N30FI - описание и поиск аналогов

 

STP5N30FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP5N30FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для STP5N30FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP5N30FI даташит

 7.1. Size:199K  st
 stp5n30-.pdf pdf_icon

STP5N30FI

STP5N30 STP5N30FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP5N30 300 V

 7.2. Size:383K  st
 stp5n30.pdf pdf_icon

STP5N30FI

STP5N30 STP5N30FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP5N30 300 V

 7.3. Size:369K  st
 stp5n30l.pdf pdf_icon

STP5N30FI

STP5N30L STP5N30LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP5N30L 300 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP53N06 , STP55N05L , STP55N05LFI , STP55N06L , STP55N06LFI , STP5N25L , STP5N25LFI , STP5N30 , 2N7000 , STP5N30L , STP5N30LFI , STP5N50 , STP5N50FI , STP5N60 , STP5N60FI , STP5N80 , STP5N80FI .

History: STP5N60FI

 

 

 

 

↑ Back to Top
.