Справочник MOSFET. FDU5N50NZTU

 

FDU5N50NZTU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDU5N50NZTU
   Маркировка: FDU5N50NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для FDU5N50NZTU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU5N50NZTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  onsemi
 fdu5n50nztu.pdf pdf_icon

FDU5N50NZTU

FDU5N50NZTUPower MOSFET, N-Channel,UniFETt II500 V, 4 A, 1.5 WUniFET II MOSFET is ON Semiconductors high voltage MOSFETwww.onsemi.comfamily based on advanced planar stripe and DMOS technology. Thisadvanced MOSFET family has the smallest on-state resistance amongthe planar MOSFET, and also provides superior switching performanceDand higher avalanche energy strength. In add

 8.1. Size:244K  fairchild semi
 fdd5n53 fdu5n53.pdf pdf_icon

FDU5N50NZTU

January 2009UniFETTMFDD5N53/FDU5N53tmN-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Features Description RDS(on) = 1.25 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 11nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 5pF)This advanced technology has been espe

 9.1. Size:476K  onsemi
 fdu5n60nztu.pdf pdf_icon

FDU5N50NZTU

FDU5N60NZTUN-Channel UniFET IIMOSFET600 V, 4 A, 2 WUniFET II MOSFET is ON Semiconductors high voltagewww.onsemi.comMOSFET family based on advanced planar stripe and DMOStechnology. This advanced MOSFET family has the smallest on-stateresistance among the planar MOSFET, and also provides superiorDswitching performance and higher avalanche energy strength. Inaddition, int

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.