Справочник MOSFET. NTB004N10G

 

NTB004N10G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB004N10G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 340 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 201 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 64.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB004N10G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  onsemi
 ntb004n10g.pdf pdf_icon

NTB004N10G

MOSFET Power,N-Channel100 V, 201 A, 4.2 mWNTB004N10GFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAX Wide SOAV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant100 V 4.2 mW @ 10 V 201 AApplications Hot Swap in 48 V SystemsN-ChannelDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)Parameter Sy

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: BSS306N | UPA1770 | TSM4946DCS | KRF7703 | RU1HL8L | IXTH10N60 | PZ5S6EA

 

 
Back to Top

 


 
.