Справочник MOSFET. NTB004N10G

 

NTB004N10G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB004N10G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 340 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 201 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NTB004N10G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB004N10G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  onsemi
 ntb004n10g.pdf pdf_icon

NTB004N10G

MOSFET Power,N-Channel100 V, 201 A, 4.2 mWNTB004N10GFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAX Wide SOAV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant100 V 4.2 mW @ 10 V 201 AApplications Hot Swap in 48 V SystemsN-ChannelDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)Parameter Sy

Другие MOSFET... FQD3N60CTM-WS , FQD4P25TM-WS , FQD8P10TM-F085 , FQT1N80TF-WS , HUF76629D3ST-F085 , HUFA76429D3ST-F085 , NCV8403B , NID9N05BCL , MMIS60R580P , NTB095N65S3HF , NTB110N65S3HF , NTB150N65S3HF , NTB190N65S3HF , NTBG020N120SC1 , NTBG040N120SC1 , NTBG060N090SC1 , NTBG160N120SC1 .

 

 
Back to Top

 


 
.