Справочник MOSFET. NTB004N10G

 

NTB004N10G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTB004N10G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 340 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 201 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 175 nC
   trⓘ - Время нарастания: 64.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для NTB004N10G

 

 

NTB004N10G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  onsemi
 ntb004n10g.pdf

NTB004N10G NTB004N10G

MOSFET Power,N-Channel100 V, 201 A, 4.2 mWNTB004N10GFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAX Wide SOAV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant100 V 4.2 mW @ 10 V 201 AApplications Hot Swap in 48 V SystemsN-ChannelDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)Parameter Sy

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top