NTB004N10G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB004N10G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 340 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 201 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB004N10G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB004N10G даташит

 ..1. Size:220K  onsemi
 ntb004n10g.pdf pdf_icon

NTB004N10G

MOSFET Power, N-Channel 100 V, 201 A, 4.2 mW NTB004N10G Features www.onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability ID MAX Wide SOA V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 100 V 4.2 mW @ 10 V 201 A Applications Hot Swap in 48 V Systems N-Channel D MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C Unless otherwise specified) Parameter Sy

Другие IGBT... FQD3N60CTM-WS, FQD4P25TM-WS, FQD8P10TM-F085, FQT1N80TF-WS, HUF76629D3ST-F085, HUFA76429D3ST-F085, NCV8403B, NID9N05BCL, 7N60, NTB095N65S3HF, NTB110N65S3HF, NTB150N65S3HF, NTB190N65S3HF, NTBG020N120SC1, NTBG040N120SC1, NTBG060N090SC1, NTBG160N120SC1