Справочник MOSFET. NTB110N65S3HF

 

NTB110N65S3HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB110N65S3HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NTB110N65S3HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB110N65S3HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  onsemi
 ntb110n65s3hf.pdf pdf_icon

NTB110N65S3HF

NTB110N65S3HFMOSFET NChannel,SUPERFET III, FRFET650 V, 30 A, 110 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to minimizeVDSS RDS(ON) MAX ID

Другие MOSFET... FQD8P10TM-F085 , FQT1N80TF-WS , HUF76629D3ST-F085 , HUFA76429D3ST-F085 , NCV8403B , NID9N05BCL , NTB004N10G , NTB095N65S3HF , STP65NF06 , NTB150N65S3HF , NTB190N65S3HF , NTBG020N120SC1 , NTBG040N120SC1 , NTBG060N090SC1 , NTBG160N120SC1 , NTBGS4D1N15MC , NTBGS6D5N15MC .

History: R6524KNZ | SIRA14BDP | KIA10N80H-3P

 

 
Back to Top

 


 
.