NTBG160N120SC1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTBG160N120SC1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.224 Ohm

Тип корпуса: D2PAK-7L

Аналог (замена) для NTBG160N120SC1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTBG160N120SC1 даташит

 ..1. Size:331K  onsemi
 ntbg160n120sc1.pdf pdf_icon

NTBG160N120SC1

MOSFET SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 1200 V, 160 mW, 19.5 A NTBG160N120SC1 www.onsemi.com Features Typ. RDS(on) = 160 mW Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 33.8 nC) V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50.7 pF) 1200 V 224 mW @ 20 V 19.5 A 100% Avalanche Tested TJ = 175 C Drain (TAB) This Device is Pb-Fr

Другие IGBT... NTB004N10G, NTB095N65S3HF, NTB110N65S3HF, NTB150N65S3HF, NTB190N65S3HF, NTBG020N120SC1, NTBG040N120SC1, NTBG060N090SC1, K2611, NTBGS4D1N15MC, NTBGS6D5N15MC, NTBLS001N06C, NTBLS002N08MC, NTBLS0D7N06C, NTBLS1D5N08MC, NTBLS4D0N15MC, NTBS2D7N06M7