NTBG160N120SC1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTBG160N120SC1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50.7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.224 Ohm
Тип корпуса: D2PAK-7L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NTBG160N120SC1 Datasheet (PDF)
ntbg160n120sc1.pdf

MOSFET SiC Power,Single N-Channel,D2PAK-7L1200 V, 160 mW, 19.5 ANTBG160N120SC1www.onsemi.comFeatures Typ. RDS(on) = 160 mW Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 33.8 nC)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50.7 pF)1200 V 224 mW @ 20 V 19.5 A 100% Avalanche Tested TJ = 175CDrain (TAB) This Device is Pb-Fr
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: 2SK3070S | 12N65KL-TF1-T | OSG65R580KT3F | AUIRF7739L2 | AOTF11N60 | SMC3056 | IPB065N10N3G
History: 2SK3070S | 12N65KL-TF1-T | OSG65R580KT3F | AUIRF7739L2 | AOTF11N60 | SMC3056 | IPB065N10N3G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z