Справочник MOSFET. NTBG160N120SC1

 

NTBG160N120SC1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTBG160N120SC1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.224 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-7L
 

 Аналог (замена) для NTBG160N120SC1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTBG160N120SC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  onsemi
 ntbg160n120sc1.pdf pdf_icon

NTBG160N120SC1

MOSFET SiC Power,Single N-Channel,D2PAK-7L1200 V, 160 mW, 19.5 ANTBG160N120SC1www.onsemi.comFeatures Typ. RDS(on) = 160 mW Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 33.8 nC)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50.7 pF)1200 V 224 mW @ 20 V 19.5 A 100% Avalanche Tested TJ = 175CDrain (TAB) This Device is Pb-Fr

Другие MOSFET... NTB004N10G , NTB095N65S3HF , NTB110N65S3HF , NTB150N65S3HF , NTB190N65S3HF , NTBG020N120SC1 , NTBG040N120SC1 , NTBG060N090SC1 , IRF9640 , NTBGS4D1N15MC , NTBGS6D5N15MC , NTBLS001N06C , NTBLS002N08MC , NTBLS0D7N06C , NTBLS1D5N08MC , NTBLS4D0N15MC , NTBS2D7N06M7 .

History: STP13N65M2 | FSW25N50A | WML36N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.