Справочник MOSFET. NTBGS6D5N15MC

 

NTBGS6D5N15MC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTBGS6D5N15MC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 238 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 121 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-7L
 

 Аналог (замена) для NTBGS6D5N15MC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTBGS6D5N15MC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  onsemi
 ntbgs6d5n15mc.pdf pdf_icon

NTBGS6D5N15MC

MOSFET - Power, SingleN-Channel, D2PAK7150 V, 7 mW, 121 ANTBGS6D5N15MCFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Lowers Switching Noise/EMIV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS150 V 7 mW @ 10 V 121 ACompliant8.7 mW @ 8 VTypical Applic

 9.1. Size:297K  onsemi
 ntbgs4d1n15mc.pdf pdf_icon

NTBGS6D5N15MC

MOSFET - Single N-Channel150 V, 4.1 mW, 185 ANTBGS4D1N15MCFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com Lowers Switching Noise/EMI These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX4.1 mW @ 10 VTypical Applications150 V 185 A Power Tools, B

Другие MOSFET... NTB110N65S3HF , NTB150N65S3HF , NTB190N65S3HF , NTBG020N120SC1 , NTBG040N120SC1 , NTBG060N090SC1 , NTBG160N120SC1 , NTBGS4D1N15MC , MMD60R360PRH , NTBLS001N06C , NTBLS002N08MC , NTBLS0D7N06C , NTBLS1D5N08MC , NTBLS4D0N15MC , NTBS2D7N06M7 , NTBS9D0N10MC , NTBV5605 .

History: AO4458 | 2SK810 | BSS123K2 | GSM4124WS | TP0610K-T1 | IRF7452PBF | VBZMB18N65

 

 
Back to Top

 


 
.