NTBS9D0N10MC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTBS9D0N10MC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 935 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTBS9D0N10MC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTBS9D0N10MC даташит

 ..1. Size:225K  onsemi
 ntbs9d0n10mc.pdf pdf_icon

NTBS9D0N10MC

MOSFET - Single N-Channel 100 V, 9.0 mW, 60 A NTBS9D0N10MC Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses www.onsemi.com Lowers Switching Noise/EMI These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100 V 9.0 mW @ 10 V 60 A Typical Applications Power Tools, Batt

Другие IGBT... NTBGS4D1N15MC, NTBGS6D5N15MC, NTBLS001N06C, NTBLS002N08MC, NTBLS0D7N06C, NTBLS1D5N08MC, NTBLS4D0N15MC, NTBS2D7N06M7, IRF730, NTBV5605, NTD360N80S3Z, NTD4979N, NTD5C446N, NTD5C668NL, NTDV18N06L, NTH027N65S3F, NTH4L020N120SC1