Справочник MOSFET. NTBS9D0N10MC

 

NTBS9D0N10MC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTBS9D0N10MC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 935 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NTBS9D0N10MC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTBS9D0N10MC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  onsemi
 ntbs9d0n10mc.pdf pdf_icon

NTBS9D0N10MC

MOSFET - Single N-Channel100 V, 9.0 mW, 60 ANTBS9D0N10MCFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com Lowers Switching Noise/EMI These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX100 V 9.0 mW @ 10 V 60 ATypical Applications Power Tools, Batt

Другие MOSFET... NTBGS4D1N15MC , NTBGS6D5N15MC , NTBLS001N06C , NTBLS002N08MC , NTBLS0D7N06C , NTBLS1D5N08MC , NTBLS4D0N15MC , NTBS2D7N06M7 , BS170 , NTBV5605 , NTD360N80S3Z , NTD4979N , NTD5C446N , NTD5C668NL , NTDV18N06L , NTH027N65S3F , NTH4L020N120SC1 .

History: STP9N80K5 | HU50N06D | TMT3N30G | WMJ53N65F2 | IRFD113 | 5N65KG-TA3-T | FCH104N60F-F085

 

 
Back to Top

 


 
.