Справочник MOSFET. NTBS9D0N10MC

 

NTBS9D0N10MC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTBS9D0N10MC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 935 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTBS9D0N10MC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  onsemi
 ntbs9d0n10mc.pdf pdf_icon

NTBS9D0N10MC

MOSFET - Single N-Channel100 V, 9.0 mW, 60 ANTBS9D0N10MCFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com Lowers Switching Noise/EMI These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX100 V 9.0 mW @ 10 V 60 ATypical Applications Power Tools, Batt

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: LSGN03R020 | HSS3401A | NCE70T900K | 2N7002L | 8810 | WMK53N65C4 | FDMC86012

 

 
Back to Top

 


 
.