Справочник MOSFET. NTBV5605

 

NTBV5605 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTBV5605
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 122 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NTBV5605

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTBV5605 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  onsemi
 ntb5605p ntbv5605.pdf pdf_icon

NTBV5605

NTB5605P, NTBV5605Power MOSFET-60 V, -18.5 AP-Channel, D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Designed for Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes AEC Q101 Qualified - NTBV5605-60 V 120 mW @ -5.0 V -18.5 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantP-ChannelApplicationsD Power Supplies PWM Mo

Другие MOSFET... NTBGS6D5N15MC , NTBLS001N06C , NTBLS002N08MC , NTBLS0D7N06C , NTBLS1D5N08MC , NTBLS4D0N15MC , NTBS2D7N06M7 , NTBS9D0N10MC , IRFZ44N , NTD360N80S3Z , NTD4979N , NTD5C446N , NTD5C668NL , NTDV18N06L , NTH027N65S3F , NTH4L020N120SC1 , NTH4L027N65S3F .

History: NDH833N | 2SK1994 | IRLML5203GPBF | HFP70N03V | APTM50HM75SCTG | FDD86567-F085 | STP200N4F3

 

 
Back to Top

 


 
.