NTBV5605. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTBV5605

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 122 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTBV5605

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTBV5605 даташит

 ..1. Size:138K  onsemi
 ntb5605p ntbv5605.pdf pdf_icon

NTBV5605

NTB5605P, NTBV5605 Power MOSFET -60 V, -18.5 A P-Channel, D2PAK http //onsemi.com Features Designed for Low RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes AEC Q101 Qualified - NTBV5605 -60 V 120 mW @ -5.0 V -18.5 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant P-Channel Applications D Power Supplies PWM Mo

Другие IGBT... NTBGS6D5N15MC, NTBLS001N06C, NTBLS002N08MC, NTBLS0D7N06C, NTBLS1D5N08MC, NTBLS4D0N15MC, NTBS2D7N06M7, NTBS9D0N10MC, IRFZ44N, NTD360N80S3Z, NTD4979N, NTD5C446N, NTD5C668NL, NTDV18N06L, NTH027N65S3F, NTH4L020N120SC1, NTH4L027N65S3F