NTDV18N06L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTDV18N06L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NTDV18N06L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTDV18N06L даташит

 ..1. Size:86K  onsemi
 ntd18n06l ntdv18n06l.pdf pdf_icon

NTDV18N06L

NTD18N06L, NTDV18N06L Power MOSFET 18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. www.onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L 18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 60 V 54 mW@5.0 V (Note 1) T

 0.1. Size:156K  onsemi
 ntd18n06lg ntdv18n06lt4g.pdf pdf_icon

NTDV18N06L

NTD18N06L, NTDV18N06L Power MOSFET 18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L 18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 60 V 54 mW@5.0 V (Note 1)

Другие IGBT... NTBLS4D0N15MC, NTBS2D7N06M7, NTBS9D0N10MC, NTBV5605, NTD360N80S3Z, NTD4979N, NTD5C446N, NTD5C668NL, IRF540N, NTH027N65S3F, NTH4L020N120SC1, NTH4L027N65S3F, NTH4L040N120SC1, NTH4L040N65S3F, NTH4L080N120SC1, NTH4L160N120SC1, NTHD4P02F