Справочник MOSFET. NTDV18N06L

 

NTDV18N06L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTDV18N06L
   Маркировка: 18N6L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
   Время нарастания (tr): 79 ns
   Выходная емкость (Cd): 166 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для NTDV18N06L

 

 

NTDV18N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  onsemi
ntd18n06l ntdv18n06l.pdf

NTDV18N06L NTDV18N06L

NTD18N06L, NTDV18N06LPower MOSFET18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.www.onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V 54 mW@5.0 V(Note 1)T

 0.1. Size:156K  onsemi
ntd18n06lg ntdv18n06lt4g.pdf

NTDV18N06L NTDV18N06L

NTD18N06L, NTDV18N06LPower MOSFET18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V 54 mW@5.0 V(Note 1)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top