Справочник MOSFET. NTDV18N06L

 

NTDV18N06L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTDV18N06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTDV18N06L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTDV18N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  onsemi
 ntd18n06l ntdv18n06l.pdf pdf_icon

NTDV18N06L

NTD18N06L, NTDV18N06LPower MOSFET18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.www.onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V 54 mW@5.0 V(Note 1)T

 0.1. Size:156K  onsemi
 ntd18n06lg ntdv18n06lt4g.pdf pdf_icon

NTDV18N06L

NTD18N06L, NTDV18N06LPower MOSFET18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V 54 mW@5.0 V(Note 1)

Другие MOSFET... NTBLS4D0N15MC , NTBS2D7N06M7 , NTBS9D0N10MC , NTBV5605 , NTD360N80S3Z , NTD4979N , NTD5C446N , NTD5C668NL , IRF540 , NTH027N65S3F , NTH4L020N120SC1 , NTH4L027N65S3F , NTH4L040N120SC1 , NTH4L040N65S3F , NTH4L080N120SC1 , NTH4L160N120SC1 , NTHD4P02F .

History: SSW60R099SFD | SIF5N65F

 

 
Back to Top

 


 
.