STP5NA60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP5NA60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STP5NA60 Datasheet (PDF)
stp5na60.pdf

STP5NA60STP5NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA60 600 V
stp5na50.pdf

STP5NA50STP5NA50FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA50 500 V
stp5na80.pdf

STP5NA80STP5NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80 800 V
stp5na80fp.pdf

STP5NA80FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80FP 800 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SEFY9130C | R6535KNZ1 | SQJ964EP | VSE002N03MS-G | FCB290N80 | AS2333 | 2SK3430-ZJ
History: SEFY9130C | R6535KNZ1 | SQJ964EP | VSE002N03MS-G | FCB290N80 | AS2333 | 2SK3430-ZJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent