Справочник MOSFET. NTMFS4833NA

 

NTMFS4833NA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMFS4833NA
   Маркировка: 4833NA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 113.6 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 191 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 37 nC
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 1200 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: SO-8FL

 Аналог (замена) для NTMFS4833NA

 

 

NTMFS4833NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:880K  onsemi
ntmfs4833na.pdf

NTMFS4833NA
NTMFS4833NA

 4.1. Size:139K  onsemi
ntmfs4833nt1g.pdf

NTMFS4833NA
NTMFS4833NA

NTMFS4833NPower MOSFET30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications Refer to Application Note AND8195/D2.0 mW @ 10 V30 V191 A CPU Po

 4.2. Size:139K  onsemi
ntmfs4833ns.pdf

NTMFS4833NA
NTMFS4833NA

NTMFS4833NSSENSEFET) Power MOSFET30 V, 156 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Accurate, Lossless Current Sensing Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS2.2 m

 4.3. Size:89K  onsemi
ntmfs4833n.pdf

NTMFS4833NA
NTMFS4833NA

NTMFS4833NPower MOSFET30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com These are Pb-Free Devices*ApplicationsV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX CPU Power Delivery DC-DC Converters 2.0 mW @ 10 V30 V191 A

 4.4. Size:139K  onsemi
ntmfs4833nst1g.pdf

NTMFS4833NA
NTMFS4833NA

NTMFS4833NSSENSEFET) Power MOSFET30 V, 156 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Accurate, Lossless Current Sensing Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS2.2 m

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top