Справочник MOSFET. NTMFS4H013NF

 

NTMFS4H013NF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTMFS4H013NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 269 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2537 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0009 Ohm
   Тип корпуса: SO-8FL
 

 Аналог (замена) для NTMFS4H013NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS4H013NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  onsemi
ntmfs4h013nf.pdfpdf_icon

NTMFS4H013NF

NTMFS4H013NFPower MOSFET25 V, 269 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Integrated Schottky Diode Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losseswww.onsemi.com Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances Optimized material for improved thermal performance These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSVGS MAX RDS(on) TYP QGTOT

 5.1. Size:84K  onsemi
ntmfs4h01nf.pdfpdf_icon

NTMFS4H013NF

NTMFS4H01NFPower MOSFET25 V, 334 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Integrated Schottky Diode Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances Optimized material for improved thermal performance www.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantVGS MAX RDS(on) T

 5.2. Size:81K  onsemi
ntmfs4h01n.pdfpdf_icon

NTMFS4H013NF

NTMFS4H01NPower MOSFET25 V, 334 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances Optimized material for improved thermal performancehttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantVGS MAX RDS(on) TYP QGTOTApplications

 6.1. Size:86K  onsemi
ntmfs4h02nf.pdfpdf_icon

NTMFS4H013NF

NTMFS4H02NFPower MOSFET25 V, 193 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Integrated Schottky Diode Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses Optimized Package to Minimize Parasitic Inductanceswww.onsemi.com Optimized material for improved thermal performance These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantVGS MAX RDS(on)

Другие MOSFET... NTMFS4C028N , NTMFS4C029N , NTMFS4C032N , NTMFS4C054N , NTMFS4C250N , NTMFS4C290N , NTMFS4C302N , NTMFS4C59N , IRF1405 , NTMFS5113PL , NTMFS5C404N , NTMFS5C406N , NTMFS5C406NL , NTMFS5C410N , NTMFS5C426N , NTMFS5C430N , NTMFS5C430NL .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.