NTMFS4H013NF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMFS4H013NF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 269 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2537 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0009 Ohm

Тип корпуса: SO-8FL

Аналог (замена) для NTMFS4H013NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS4H013NF даташит

 ..1. Size:89K  onsemi
 ntmfs4h013nf.pdf pdf_icon

NTMFS4H013NF

NTMFS4H013NF Power MOSFET 25 V, 269 A, Single N-Channel, SO-8FL Features Integrated Schottky Diode Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses www.onsemi.com Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances Optimized material for improved thermal performance These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS VGS MAX RDS(on) TYP QGTOT

 5.1. Size:84K  onsemi
 ntmfs4h01nf.pdf pdf_icon

NTMFS4H013NF

NTMFS4H01NF Power MOSFET 25 V, 334 A, Single N-Channel, SO-8FL Features Integrated Schottky Diode Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances Optimized material for improved thermal performance www.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant VGS MAX RDS(on) T

 5.2. Size:81K  onsemi
 ntmfs4h01n.pdf pdf_icon

NTMFS4H013NF

NTMFS4H01N Power MOSFET 25 V, 334 A, Single N-Channel, SO-8FL Features Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances Optimized material for improved thermal performance http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant VGS MAX RDS(on) TYP QGTOT Applications

 6.1. Size:86K  onsemi
 ntmfs4h02nf.pdf pdf_icon

NTMFS4H013NF

NTMFS4H02NF Power MOSFET 25 V, 193 A, Single N-Channel, SO-8FL Features Integrated Schottky Diode Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances www.onsemi.com Optimized material for improved thermal performance These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant VGS MAX RDS(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFS4C028N, NTMFS4C029N, NTMFS4C032N, NTMFS4C054N, NTMFS4C250N, NTMFS4C290N, NTMFS4C302N, NTMFS4C59N, IRF830, NTMFS5113PL, NTMFS5C404N, NTMFS5C406N, NTMFS5C406NL, NTMFS5C410N, NTMFS5C426N, NTMFS5C430N, NTMFS5C430NL