NTMFS5C628N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTMFS5C628N
Маркировка: 5C628N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
Время нарастания (tr): 5.8 ns
Выходная емкость (Cd): 1680 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.003 Ohm
Тип корпуса: DFN5
Аналог (замена) для NTMFS5C628N
NTMFS5C628N Datasheet (PDF)
ntmfs5c628n.pdf
NTMFS5C628NMOSFET - Power, SingleN-Channel60 V, 3.0 mW, 150 AFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX60 V 3.0 mW @ 10 V 150 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwis
ntmfs5c628nlt1g.pdf
NTMFS5C628NLPower MOSFET60 V, 2.4 mW, 150 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)2.4 mW @ 10 V60
ntmfs5c628nt1g.pdf
NTMFS5C628NMOSFET - Power, SingleN-Channel60 V, 3.0 mW, 150 AFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX60 V 3.0 mW @ 10 V 150 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwis
ntmfs5c628nl.pdf
NTMFS5C628NLPower MOSFET60 V, 2.4 mW, 150 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)2.4 mW @ 10 V60
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C