NTMFS5C645NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMFS5C645NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: DFN5

Аналог (замена) для NTMFS5C645NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS5C645NL даташит

 ..1. Size:114K  onsemi
 ntmfs5c645nl.pdf pdf_icon

NTMFS5C645NL

NTMFS5C645NL Power MOSFET 60 V, 4.0 mW, 100 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 4.0 mW @ 10 V 60

 0.1. Size:118K  1
 ntmfs5c645nlt3g.pdf pdf_icon

NTMFS5C645NL

NTMFS5C645NL Power MOSFET 60 V, 4.0 mW, 100 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 4.0 mW @ 10 V 60

 0.2. Size:114K  1
 ntmfs5c645nlt1g.pdf pdf_icon

NTMFS5C645NL

NTMFS5C645NL Power MOSFET 60 V, 4.0 mW, 100 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 4.0 mW @ 10 V 60

 5.1. Size:117K  1
 ntmfs5c646nlt3g.pdf pdf_icon

NTMFS5C645NL

NTMFS5C646NL Power MOSFET 60 V, 4.7 mW, 93 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 4.7 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unles

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFS5C450N, NTMFS5C450NL, NTMFS5C456NL, NTMFS5C460NL, NTMFS5C468NL, NTMFS5C609NL, NTMFS5C628N, NTMFS5C628NL, IRF840, NTMFS5C646N, NTMFS5C670N, NTMFS5C673N, NTMFS5C673NL, NTMFS5C677NL, NTMFS5C682NL, NTMFS5H400NL, NTMFS5H409NL