NTMFS5C646N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMFS5C646N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1080 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: DFN5

Аналог (замена) для NTMFS5C646N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS5C646N даташит

 ..1. Size:228K  onsemi
 ntmfs5c646n.pdf pdf_icon

NTMFS5C646N

MOSFET Power, Single, N-Channel 60 V, 5.0 mW, 93 A NTMFS5C646N Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 60 V 5.0 mW @ 10 V 93 A Compliant MAXIMUM RATINGS (T

 0.1. Size:117K  1
 ntmfs5c646nlt3g.pdf pdf_icon

NTMFS5C646N

NTMFS5C646NL Power MOSFET 60 V, 4.7 mW, 93 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 4.7 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unles

 0.2. Size:76K  1
 ntmfs5c646nlt1g.pdf pdf_icon

NTMFS5C646N

NTMFS5C646NL Power MOSFET 60 V, 4.7 mW, 93 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 4.7 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unles

 0.3. Size:113K  onsemi
 ntmfs5c646nl.pdf pdf_icon

NTMFS5C646N

NTMFS5C646NL Power MOSFET 60 V, 4.7 mW, 93 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 4.7 mW @ 10 V 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFS5C450NL, NTMFS5C456NL, NTMFS5C460NL, NTMFS5C468NL, NTMFS5C609NL, NTMFS5C628N, NTMFS5C628NL, NTMFS5C645NL, 20N60, NTMFS5C670N, NTMFS5C673N, NTMFS5C673NL, NTMFS5C677NL, NTMFS5C682NL, NTMFS5H400NL, NTMFS5H409NL, NTMFS5H414NL