Справочник MOSFET. NTMFS5C646N

 

NTMFS5C646N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMFS5C646N
   Маркировка: 5C646N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1080 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: DFN5

 Аналог (замена) для NTMFS5C646N

 

 

NTMFS5C646N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  onsemi
 ntmfs5c646n.pdf

NTMFS5C646N NTMFS5C646N

MOSFET Power, Single,N-Channel60 V, 5.0 mW, 93 ANTMFS5C646NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS60 V 5.0 mW @ 10 V 93 ACompliantMAXIMUM RATINGS (T

 0.1. Size:117K  1
 ntmfs5c646nlt3g.pdf

NTMFS5C646N NTMFS5C646N

NTMFS5C646NLPower MOSFET60 V, 4.7 mW, 93 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX4.7 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unles

 0.2. Size:76K  1
 ntmfs5c646nlt1g.pdf

NTMFS5C646N NTMFS5C646N

NTMFS5C646NLPower MOSFET60 V, 4.7 mW, 93 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX4.7 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unles

 0.3. Size:113K  onsemi
 ntmfs5c646nl.pdf

NTMFS5C646N NTMFS5C646N

NTMFS5C646NLPower MOSFET60 V, 4.7 mW, 93 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)4.7 mW @ 10 V60 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top