NTMTS0D7N06C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMTS0D7N06C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 294.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 464 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8010 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00072 Ohm

Тип корпуса: DFNW8

Аналог (замена) для NTMTS0D7N06C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMTS0D7N06C даташит

 ..1. Size:399K  onsemi
 ntmts0d7n06c.pdf pdf_icon

NTMTS0D7N06C

MOSFET - Power, Single N-Channel, DFNW8 60 V, 0.72 mW, 464 A NTMTS0D7N06C Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 60 V 0.72 mW @ 10 V 464 A Typical A

 0.1. Size:398K  onsemi
 ntmts0d7n06cl.pdf pdf_icon

NTMTS0D7N06C

MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 0.68 mW, 477 A NTMTS0D7N06CL Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Power 88 Package, Industry Standard 0.68 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are Ro

 7.1. Size:241K  onsemi
 ntmts0d6n04c.pdf pdf_icon

NTMTS0D7N06C

NTMTS0D6N04C Power MOSFET 40 V, 0.48 mW, 533 A, Single N-Channel Features Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Typical Applications 40 V 0.48 mW @ 10 V 533

 7.2. Size:252K  onsemi
 ntmts0d6n04cl.pdf pdf_icon

NTMTS0D7N06C

NTMTS0D6N04CL Power MOSFET 40 V, 0.42 mW, 554.5 A, Single N-Channel Features Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Typical Applications 0.42 mW @ 10 V 40 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFS6H836NL, NTMFS6H848NL, NTMFS6H852NL, NTMFS6H864NL, NTMFSC0D9N04CL, NTMTS001N06CL, NTMTS0D6N04C, NTMTS0D6N04CL, AO3401, NTMTS0D7N06CL, NTMYS1D2N04CL, NTMYS4D1N06CL, NTND31225CZ, NTNS1K5N021Z, NTNS5K0P021Z, NTP055N65S3H, NTP095N65S3HF