NTMYS4D1N06CL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMYS4D1N06CL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: LFPAK4

Аналог (замена) для NTMYS4D1N06CL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMYS4D1N06CL даташит

 ..1. Size:326K  onsemi
 ntmys4d1n06cl.pdf pdf_icon

NTMYS4D1N06CL

MOSFET Power, Single, N-Channel 60 V, 4.0 mW, 100 A NTMYS4D1N06CL Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard 4.0 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 60 V 100

 9.1. Size:336K  onsemi
 ntmys1d2n04cl.pdf pdf_icon

NTMYS4D1N06CL

NTMYS1D2N04CL MOSFET Power, Single, N-Channel 40 V, 1.1 mW, 258 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard 1.1 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 40 V 258 A

Другие IGBT... NTMFS6H864NL, NTMFSC0D9N04CL, NTMTS001N06CL, NTMTS0D6N04C, NTMTS0D6N04CL, NTMTS0D7N06C, NTMTS0D7N06CL, NTMYS1D2N04CL, 4435, NTND31225CZ, NTNS1K5N021Z, NTNS5K0P021Z, NTP055N65S3H, NTP095N65S3HF, NTP110N65S3HF, NTP150N65S3HF, NTP190N65S3HF