NTP150N65S3HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTP150N65S3HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для NTP150N65S3HF
NTP150N65S3HF Datasheet (PDF)
ntp150n65s3hf.pdf

NTP150N65S3HFMOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 24 A, 150 mWwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 150 mW @ 10 V 24 Acharge performance. This advance
Другие MOSFET... NTMYS1D2N04CL , NTMYS4D1N06CL , NTND31225CZ , NTNS1K5N021Z , NTNS5K0P021Z , NTP055N65S3H , NTP095N65S3HF , NTP110N65S3HF , 4435 , NTP190N65S3HF , NTP360N80S3Z , NTP5862N , NTP5D0N15MC , NTPF110N65S3HF , NTPF150N65S3HF , NTPF190N65S3HF , NTPF360N80S3Z .
History: IRFR2307Z | SFF9250L | IPI120N08S4-04 | WMJ90R260S | WML12N80M3 | WMO9N50D1B | STB21NM60ND
History: IRFR2307Z | SFF9250L | IPI120N08S4-04 | WMJ90R260S | WML12N80M3 | WMO9N50D1B | STB21NM60ND



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet