NTTFS5C658NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTTFS5C658NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 109 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 96 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: WDFN8
Аналог (замена) для NTTFS5C658NL
NTTFS5C658NL Datasheet (PDF)
nttfs5c658nl.pdf

NTTFS5C658NLPower MOSFET60 V, 5.0 mW, 109 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX5.0 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)60 V
nttfs5c670nl.pdf

NTTFS5C670NLPower MOSFET60 V, 6.5 mW, 70 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwi
nttfs5c680nl.pdf

NTTFS5C680NLMOSFET - Power, SingleN-Channel60 V, 26.5 mW, 20 AFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX26.5 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted) 6
nttfs5c673nl.pdf

NTTFS5C673NLPower MOSFET60 V, 9.3 mW, 50 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3x3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX9.3 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C u
Другие MOSFET... NTTFS2D8N04HL , NTTFS4C02N , NTTFS5C453NL , NTTFS5C454NL , NTTFS5C460NL , NTTFS5C466NL , NTTFS5C471NL , NTTFS5C478NL , IRF730 , NTTFS5C670NL , NTTFS5C673NL , NTTFS5C680NL , NTTFS5CS70NL , NTTFS5D1N06HL , NTTFS6H850N , NTTFS6H850NL , NTTFS6H854NL .
History: IRF7324PBF | TMC8N65H | HRS88N08K | NCE3008N | KIA2N60H-252 | WMQ37N03T1 | RU30E4B
History: IRF7324PBF | TMC8N65H | HRS88N08K | NCE3008N | KIA2N60H-252 | WMQ37N03T1 | RU30E4B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756