NTTFS6H854NL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTTFS6H854NL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0134 Ohm

Тип корпуса: WDFN8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTTFS6H854NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTTFS6H854NL даташит

 ..1. Size:201K  onsemi
 nttfs6h854nl.pdf pdf_icon

NTTFS6H854NL

MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 13.4 mW, 41 A NTTFS6H854NL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 13.4 mW @ 10 V

 5.1. Size:196K  onsemi
 nttfs6h850n.pdf pdf_icon

NTTFS6H854NL

NTTFS6H850N MOSFET Power, Single, N-Channel 80 V, 9.5 mW, 68 A Features www.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 80 V 9.5 mW @ 10 V 68 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise

 5.2. Size:185K  onsemi
 nttfs6h850nl.pdf pdf_icon

NTTFS6H854NL

NTTFS6H850NL Power MOSFET 80 V, 8.6 mW, 64 A, Single N-Channel Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 8.6 mW @ 10 V Param

 6.1. Size:197K  onsemi
 nttfs6h860nl.pdf pdf_icon

NTTFS6H854NL

MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 20 mW, 30 A NTTFS6H860NL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 20 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 80 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTTFS5C658NL, NTTFS5C670NL, NTTFS5C673NL, NTTFS5C680NL, NTTFS5CS70NL, NTTFS5D1N06HL, NTTFS6H850N, NTTFS6H850NL, 8N60, NTTFS6H860NL, NTTFS6H880NL, NTTFS8D1N08H, NTUD3174NZ, NTZD3158P, NVATS4A103PZ, NVATS5A106PLZ, PM2301