Справочник MOSFET. STP6N50FI

 

STP6N50FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP6N50FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP6N50FI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  st
stp6n50 stp6n50fi.pdfpdf_icon

STP6N50FI

 8.1. Size:1153K  st
stb6n52k3 std6n52k3 stf6n52k3 stp6n52k3.pdfpdf_icon

STP6N50FI

STB6N52K3, STD6N52K3STF6N52K3, STP6N52K3N-channel 525 V, 1 , 5 A, DPAK, DPAK, TO-220FP, TO-220SuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) 3Order codes VDSS ID Pwmax132STB6N52K3 5 A 70 WDPAK1STD6N52K3 5 A(1) 25 WTO-220FP525 V

 9.1. Size:96K  st
stp6na60fp.pdfpdf_icon

STP6N50FI

STP6NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60FP 600 V

 9.2. Size:532K  st
stb6nc80z stp6nc80z.pdfpdf_icon

STP6N50FI

STP6NC80Z - STP6NC80ZFPSTB6NC80Z - STB6NC80Z-1N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAKZener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NC80Z/FP 800V

Другие MOSFET... STP60N05-16 , STP60N05FI , STP60N06 , STP60N06-16 , STP60N06FI , STP6N25 , STP6N25FI , STP6N50 , P60NF06 , STP6N60FI , STP6NA50 , STP6NA50FI , STP6NA60 , STP6NA60FI , STP6NA80 , STP6NA80FI , STP7N20 .

History: 2SK2821 | VBZFB40N10 | AUIRFS8409-7P | ME13N10A-G | 2SK3776-01 | IPP120N20NFD | WMK05N70MM

 

 
Back to Top

 


 
.