SI5N60-TA3-T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI5N60-TA3-T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SI5N60-TA3-T
SI5N60-TA3-T Datasheet (PDF)
si5n60.pdf

N-CHANNEL MOSFETSI5N604 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps600VoltsN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThe SI5N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics ,such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristics. This
Другие MOSFET... SI4N60-TN3-T , SI4N60L-TA3-T , SI4N60L-TF3-T , SI4N60L-TM3-T , SI4N60L-TN3-R , SI4N60L-TN3-T , SI4N65 , SI4N65F , IRF630 , SI5N60-TF3-T , SI5N60-TM3-T , SI5N60-TN3-R , SI5N60-TN3-T , SI5N60L-TA3-T , SI5N60L-TF3-T , SI5N60L-TM3-T , SI5N60L-TN3-R .
History: 2SK3280 | SRT12N058HS2 | ELM34403AA-N | 2SK3688-01S | 2SK3726-01MR | CRST085N15N | IRLB3813PBF
History: 2SK3280 | SRT12N058HS2 | ELM34403AA-N | 2SK3688-01S | 2SK3726-01MR | CRST085N15N | IRLB3813PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h