SI8205A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI8205A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
Аналог (замена) для SI8205A
SI8205A Datasheet (PDF)
si8205a.pdf

SOT-23-6 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI8205ADual N-Channel MOSFETSI8205A V(BR)DSS RDS(on)MAX IDMax SOT-23-60.022 @ 4.5V20V6.0A0.030 @ 2.5VEquivalent CircuitFEATURE TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handing Capability Surface Mount Package MARKINGAPPLICATION Battery Protection Load Switch
si8205s.pdf

SOT-23-6 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI8205S Dual N-Channel MOSFETSI8205S V(BR)DSS RDS(on)MAX IDMax SOT-23-60.025 @ 4.5V20V5.0A0.033 @ 2.5VEquivalent CircuitFEATURE TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handing Capability Surface Mount Package MARKINGAPPLICATION Battery Protection Load Switch
Другие MOSFET... SI5N60L-TF3-T , SI5N60L-TM3-T , SI5N60L-TN3-R , SI5N60L-TN3-T , SI60N03 , SI68H11 , SI7N65 , SI7N65F , 4435 , SI8205S , SI9435 , TX216521M6R , PS3400N , NVATS5A107PLZ , NVATS5A112PLZ , NVATS5A113PLZ , NVATS5A114PLZ .
History: TK28A65W | HD60N03 | IRFPC50A | H4N60D | SFS06R02DF
History: TK28A65W | HD60N03 | IRFPC50A | H4N60D | SFS06R02DF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947