Справочник MOSFET. STP6NA80

 

STP6NA80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP6NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP6NA80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP6NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:390K  st
 stp6na80.pdf pdf_icon

STP6NA80

STP6NA80STP6NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA80 800 V

 8.1. Size:96K  st
 stp6na60fp.pdf pdf_icon

STP6NA80

STP6NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60FP 600 V

 8.2. Size:341K  st
 stp6na50 stp6na50fi.pdf pdf_icon

STP6NA80

 8.3. Size:384K  st
 stp6na60-fi.pdf pdf_icon

STP6NA80

STP6NA60STP6NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP6N25FI , STP6N50 , STP6N50FI , STP6N60FI , STP6NA50 , STP6NA50FI , STP6NA60 , STP6NA60FI , IRF1407 , STP6NA80FI , STP7N20 , STP7N20FI , STP7NA40 , STP7NA40FI , STP7NA60 , STP7NA60FI , STP8N50XI .

 

 
Back to Top

 


 
.