STP6NA80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STP6NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   trⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220

Другие MOSFET... STP6N25FI , STP6N50 , STP6N50FI , STP6N60FI , STP6NA50 , STP6NA50FI , STP6NA60 , STP6NA60FI , 4435 , STP6NA80FI , STP7N20 , STP7N20FI , STP7NA40 , STP7NA40FI , STP7NA60 , STP7NA60FI , STP8N50XI .