NVB082N65S3F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVB082N65S3F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm

Тип корпуса: D2PAK-3

Аналог (замена) для NVB082N65S3F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB082N65S3F даташит

 ..1. Size:234K  onsemi
 nvb082n65s3f.pdf pdf_icon

NVB082N65S3F

MOSFET - Power, Single N-Channel, D2PAK 650 V, 82 mW, 40 A NVB082N65S3F Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID

Другие IGBT... NVATS5A107PLZ, NVATS5A112PLZ, NVATS5A113PLZ, NVATS5A114PLZ, NVATS5A302PLZ, NVATS5A304PLZ, NVATS68301PZ, NVB072N65S3, CS150N03A8, NVB110N65S3F, NVB150N65S3F, NVB190N65S3F, NVBF170L, NVBG020N120SC1, NVBG040N120SC1, NVBG060N090SC1, NVBG080N120SC1