Справочник MOSFET. NVB082N65S3F

 

NVB082N65S3F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVB082N65S3F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-3
 

 Аналог (замена) для NVB082N65S3F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB082N65S3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  onsemi
 nvb082n65s3f.pdf pdf_icon

NVB082N65S3F

MOSFET - Power, SingleN-Channel, D2PAK650 V, 82 mW, 40 ANVB082N65S3FDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to minimizeV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID

Другие MOSFET... NVATS5A107PLZ , NVATS5A112PLZ , NVATS5A113PLZ , NVATS5A114PLZ , NVATS5A302PLZ , NVATS5A304PLZ , NVATS68301PZ , NVB072N65S3 , IRLB4132 , NVB110N65S3F , NVB150N65S3F , NVB190N65S3F , NVBF170L , NVBG020N120SC1 , NVBG040N120SC1 , NVBG060N090SC1 , NVBG080N120SC1 .

 

 
Back to Top

 


 
.