Справочник MOSFET. NVB190N65S3F

 

NVB190N65S3F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVB190N65S3F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-3

 Аналог (замена) для NVB190N65S3F

 

 

NVB190N65S3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  onsemi
 nvb190n65s3f.pdf

NVB190N65S3F NVB190N65S3F

NVB190N65S3FMOSFET - Power650 V, 190 mW, 20 A, SingleN-Channel, D2PAKDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to minimizeV(BR)DSS RDS(ON) MAX I

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top