NVB190N65S3F - аналоги и даташиты транзистора

 

NVB190N65S3F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NVB190N65S3F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-3
 

 Аналог (замена) для NVB190N65S3F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB190N65S3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  onsemi
 nvb190n65s3f.pdf pdf_icon

NVB190N65S3F

NVB190N65S3FMOSFET - Power650 V, 190 mW, 20 A, SingleN-Channel, D2PAKDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to minimizeV(BR)DSS RDS(ON) MAX I

Другие MOSFET... NVATS5A114PLZ , NVATS5A302PLZ , NVATS5A304PLZ , NVATS68301PZ , NVB072N65S3 , NVB082N65S3F , NVB110N65S3F , NVB150N65S3F , 20N50 , NVBF170L , NVBG020N120SC1 , NVBG040N120SC1 , NVBG060N090SC1 , NVBG080N120SC1 , NVBG160N120SC1 , NVBGS4D1N15MC , NVBGS6D5N15MC .

History: IPI80P03P4-05 | AP0103GP-HF | MMBT7002K | 60NM60G-T47 | FTK2302 | AMCC922NE | H04N65E

 

 
Back to Top

 


 
.