NVB190N65S3F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVB190N65S3F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: D2PAK-3

Аналог (замена) для NVB190N65S3F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB190N65S3F даташит

 ..1. Size:251K  onsemi
 nvb190n65s3f.pdf pdf_icon

NVB190N65S3F

NVB190N65S3F MOSFET - Power 650 V, 190 mW, 20 A, Single N-Channel, D2PAK Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize V(BR)DSS RDS(ON) MAX I

Другие IGBT... NVATS5A114PLZ, NVATS5A302PLZ, NVATS5A304PLZ, NVATS68301PZ, NVB072N65S3, NVB082N65S3F, NVB110N65S3F, NVB150N65S3F, STP80NF70, NVBF170L, NVBG020N120SC1, NVBG040N120SC1, NVBG060N090SC1, NVBG080N120SC1, NVBG160N120SC1, NVBGS4D1N15MC, NVBGS6D5N15MC