NVBG060N090SC1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NVBG060N090SC1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 211 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 88 nC
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm
Тип корпуса: D2PAK-7L
Аналог (замена) для NVBG060N090SC1
NVBG060N090SC1 Datasheet (PDF)
nvbg060n090sc1.pdf
MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel, D2PAK-7L900 V, 60 mW, 44 ANVBG060N090SC1Features Typ. RDS(on) = 60 mW @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 43 mW @ VGS = 18 Vwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 88 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 115 pF) 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX TJ = 175C900 V 84 mW @ 15 V 44 A
nvbg020n120sc1.pdf
MOSFET - Power, Silicon Carbide, Single N-ChannelD2PAK7L, 1200 V, 98 A, 20 mOhmNVBG020N120SC1Features Typ. RDS(on) = 20 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 220 nC) Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 258 pF)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested1200 V 28 mW @ 20 V 98 A Qualified According to AEC-Q101 RoHS Compli
nvbg080n120sc1.pdf
MOSFET SiC Power, SingleN-Channel, D2PAK-7L1200 V, 80 mW, 30 ANVBG080N120SC1Featureswww.onsemi.com Typ. RDS(on) = 80 mW Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 56 nC) Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 79 pF)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested1200 V 110 mW @ 20 V 30 A Qualified According to AEC-Q101 This Device is Pb-Free an
nvbg040n120sc1.pdf
MOSFET SiC Power, SingleN-Channel, D2PAK-7L1200 V, 40 mW, 60 ANVBG040N120SC1Features Typ. RDS(on) = 40 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 106 nC) Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 139 pF)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 1200 V 56 mW @ 20 V 60 A This Device is Pb-Fre
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
