NVD5C454N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVD5C454N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NVD5C454N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD5C454N даташит

 ..1. Size:225K  onsemi
 nvd5c454n.pdf pdf_icon

NVD5C454N

NVD5C454N MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 4.2 mW, 83 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 40 V 4.2 mW @ 10 V 83 A Compliant MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless ot

 0.1. Size:227K  onsemi
 nvd5c454nl.pdf pdf_icon

NVD5C454N

NVD5C454NL MOSFET Power, Single, N-Channel, 40 V, 3.9 mW, 88 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3.9 mW @ 10 V Compliant 40 V 88 A 5.7 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (

 8.1. Size:221K  onsemi
 nvd5c446n.pdf pdf_icon

NVD5C454N

NVD5C446N MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 3.5 mW, 101 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 40 V 3.5 mW @ 10 V 101 A Compliant MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless

 9.1. Size:186K  1
 nvd5c648nl.pdf pdf_icon

NVD5C454N

NVD5C648NL MOSFET Power, Single N-Channel 60 V, 4.1 mW, 89 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) ID AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 4.1 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 60 V 89 A Compliant 5.7 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (TJ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVBLS001N06C, NVBLS0D5N04M8, NVBLS0D7N04M8, NVBLS0D7N06C, NVBLS1D1N08H, NVBLS4D0N15MC, NVC3S5A51PLZ, NVD5C446N, IRF2807, NVD5C454NL, NVD5C632NL, NVD5C668NL, NVD5C688NL, NVD6415ANL, NVF2955P, NVH4L040N120SC1, NVH4L080N120SC1