Справочник MOSFET. NVH4L080N120SC1

 

NVH4L080N120SC1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVH4L080N120SC1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L

 Аналог (замена) для NVH4L080N120SC1

 

 

NVH4L080N120SC1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:415K  onsemi
 nvh4l080n120sc1.pdf

NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1

MOSFET Power,N-Channel, Silicon Carbide,TO-247-4L1200 V, 80 mWNVH4L080N120SC1www.onsemi.comDescriptionSilicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technologythat provide superior switching performance and higher reliabilityVDSS RDS(ON) TYP ID MAXcompared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compactchip size ensure low capacitance and gate charge. Co

 8.1. Size:364K  onsemi
 nvh4l040n120sc1.pdf

NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1

MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel, TO247-4L1200 V, 40 mW, 58 ANVH4L040N120SC1Features Typ. RDS(on) = 40 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 106 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 137 pF)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested1200 V 56 mW @ 20 V 58 A AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable This Device is Pb-Free

 9.1. Size:359K  onsemi
 nvh4l160n120sc1.pdf

NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1

MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel, TO247-4L1200 V, 160 mW, 17.3 ANVH4L160N120SC1Features Typ. RDS(on) = 160 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 34 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 49.5 pF)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested1200 V 224 mW @ 20 V 17.3 A AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable This Device is P

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top