NVH4L080N120SC1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVH4L080N120SC1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO247-4L

Аналог (замена) для NVH4L080N120SC1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVH4L080N120SC1 даташит

 0.1. Size:415K  onsemi
 nvh4l080n120sc1.pdf pdf_icon

NVH4L080N120SC1

MOSFET Power, N-Channel, Silicon Carbide, TO-247-4L 1200 V, 80 mW NVH4L080N120SC1 www.onsemi.com Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability VDSS RDS(ON) TYP ID MAX compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Co

 8.1. Size:364K  onsemi
 nvh4l040n120sc1.pdf pdf_icon

NVH4L080N120SC1

MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 1200 V, 40 mW, 58 A NVH4L040N120SC1 Features Typ. RDS(on) = 40 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 106 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 137 pF) V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested 1200 V 56 mW @ 20 V 58 A AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable This Device is Pb-Free

 9.1. Size:359K  onsemi
 nvh4l160n120sc1.pdf pdf_icon

NVH4L080N120SC1

MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 1200 V, 160 mW, 17.3 A NVH4L160N120SC1 Features Typ. RDS(on) = 160 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 34 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 49.5 pF) V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested 1200 V 224 mW @ 20 V 17.3 A AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable This Device is P

Другие IGBT... NVD5C454N, NVD5C454NL, NVD5C632NL, NVD5C668NL, NVD5C688NL, NVD6415ANL, NVF2955P, NVH4L040N120SC1, IRFB31N20D, NVH4L160N120SC1, NVHL020N120SC1, NVHL025N65S3, NVHL027N65S3F, NVHL040N65S3F, NVHL050N65S3HF, NVHL060N090SC1, NVHL072N65S3