NVMFD5875NL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NVMFD5875NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
Тип корпуса: DFN8-5X6
Аналог (замена) для NVMFD5875NL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVMFD5875NL даташит
nvmfd5875nl.pdf
NVMFD5875NL MOSFET Power, Dual N-Channel, Logic Level, Dual SO8FL 60 V, 33 mW, 22 A www.onsemi.com Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses 33 mW @ 10 V NVMFD5875NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical 60 V 22 A 45 mW @ 4.5 V Inspection AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl
nvmfd5877nl.pdf
NVMFD5877NL MOSFET Power, Dual N-Channel, Logic Level, Dual SO8FL 60 V, 39 mW, 17 A http //onsemi.com Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses 39 mW @ 10 V NVMFD5877NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical 60 V 17 A Inspection 60 mW @ 4.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Cap
nvmfd5873nl.pdf
NVMFD5873NL Power MOSFET 60 V, 13 mW, 58 A, Dual N-Channel Logic Level, Dual SO-8FL Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5873NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical 13 mW @ 10 V Inspection 60 V 58 A 16.5
nvmfd5853n.pdf
NVMFD5853N, NVMFD5853NWF Power MOSFET 40 V, 10 mW, 53 A, Dual N-Channel, Dual SO-8FL Features http //onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5853NWF - Wettable Flanks Product 40 V 10 mW @ 10 V 53 A AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl
Другие IGBT... NVHL080N120SC1A, NVHL082N65S3F, NVHL160N120SC1, NVMFD016N06C, NVMFD020N06C, NVMFD024N06C, NVMFD030N06C, NVMFD5853NWF, IRFP064N, NVMFD5C446N, NVMFD5C446NL, NVMFD5C462N, NVMFD5C462NL, NVMFD5C466N, NVMFD5C466NL, NVMFD5C470N, NVMFD5C470NL
History: RFP12N10L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta







