NVMFD5875NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVMFD5875NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: DFN8-5X6

Аналог (замена) для NVMFD5875NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMFD5875NL даташит

 ..1. Size:201K  onsemi
nvmfd5875nl.pdfpdf_icon

NVMFD5875NL

NVMFD5875NL MOSFET Power, Dual N-Channel, Logic Level, Dual SO8FL 60 V, 33 mW, 22 A www.onsemi.com Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses 33 mW @ 10 V NVMFD5875NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical 60 V 22 A 45 mW @ 4.5 V Inspection AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl

 6.1. Size:199K  onsemi
nvmfd5877nl.pdfpdf_icon

NVMFD5875NL

NVMFD5877NL MOSFET Power, Dual N-Channel, Logic Level, Dual SO8FL 60 V, 39 mW, 17 A http //onsemi.com Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses 39 mW @ 10 V NVMFD5877NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical 60 V 17 A Inspection 60 mW @ 4.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Cap

 6.2. Size:76K  onsemi
nvmfd5873nl.pdfpdf_icon

NVMFD5875NL

NVMFD5873NL Power MOSFET 60 V, 13 mW, 58 A, Dual N-Channel Logic Level, Dual SO-8FL Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5873NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical 13 mW @ 10 V Inspection 60 V 58 A 16.5

 7.1. Size:120K  onsemi
nvmfd5853n.pdfpdf_icon

NVMFD5875NL

NVMFD5853N, NVMFD5853NWF Power MOSFET 40 V, 10 mW, 53 A, Dual N-Channel, Dual SO-8FL Features http //onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5853NWF - Wettable Flanks Product 40 V 10 mW @ 10 V 53 A AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl

Другие IGBT... NVHL080N120SC1A, NVHL082N65S3F, NVHL160N120SC1, NVMFD016N06C, NVMFD020N06C, NVMFD024N06C, NVMFD030N06C, NVMFD5853NWF, IRFP064N, NVMFD5C446N, NVMFD5C446NL, NVMFD5C462N, NVMFD5C462NL, NVMFD5C466N, NVMFD5C466NL, NVMFD5C470N, NVMFD5C470NL