NVMFD5875NL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NVMFD5875NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
Тип корпуса: DFN8-5X6
Аналог (замена) для NVMFD5875NL
NVMFD5875NL Datasheet (PDF)
nvmfd5875nl.pdf

NVMFD5875NLMOSFET Power, DualN-Channel, Logic Level,Dual SO8FL60 V, 33 mW, 22 Awww.onsemi.comFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses33 mW @ 10 V NVMFD5875NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical60 V 22 A45 mW @ 4.5 VInspection AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl
nvmfd5877nl.pdf

NVMFD5877NLMOSFET Power, DualN-Channel, Logic Level,Dual SO8FL60 V, 39 mW, 17 Ahttp://onsemi.comFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses39 mW @ 10 V NVMFD5877NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical60 V 17 AInspection60 mW @ 4.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Cap
nvmfd5873nl.pdf

NVMFD5873NLPower MOSFET60 V, 13 mW, 58 A, Dual N-Channel LogicLevel, Dual SO-8FLFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designshttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5873NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical13 mW @ 10 VInspection60 V 58 A16.5
nvmfd5853n.pdf

NVMFD5853N,NVMFD5853NWFPower MOSFET40 V, 10 mW, 53 A, Dual N-Channel, DualSO-8FLFeatureshttp://onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5853NWF - Wettable Flanks Product40 V 10 mW @ 10 V 53 A AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl
Другие MOSFET... NVHL080N120SC1A , NVHL082N65S3F , NVHL160N120SC1 , NVMFD016N06C , NVMFD020N06C , NVMFD024N06C , NVMFD030N06C , NVMFD5853NWF , 5N50 , NVMFD5C446N , NVMFD5C446NL , NVMFD5C462N , NVMFD5C462NL , NVMFD5C466N , NVMFD5C466NL , NVMFD5C470N , NVMFD5C470NL .
History: HFH13N80 | TMC8N65H | APQ84SN06A | AP60WN720I | KP903B | AP60WN4K9J
History: HFH13N80 | TMC8N65H | APQ84SN06A | AP60WN720I | KP903B | AP60WN4K9J



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta