NVMFS5C460NL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NVMFS5C460NL
Маркировка: 5C460L_460LWF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: DFN5
Аналог (замена) для NVMFS5C460NL
NVMFS5C460NL Datasheet (PDF)
nvmfs5c460nl.pdf
NVMFS5C460NLMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 4.5 mW, 78 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C460NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical4.5 mW @ 10 VInspection 40 V 78 A7.2 mW @ 4.5 V
nvmfs5c460n.pdf
NVMFS5C460NMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 5.3 mW, 71 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C460NWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspection 40 V 5.3 mW @ 10 V 71 A AEC-Q101 Qualified
nvmfs5c468n.pdf
NVMFS5C468NMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 12 mW, 35 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C468NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical40 V 12 mW @ 10 V 35 AInspection AEC-Q101 Qualified
nvmfs5c468nl.pdf
NVMFS5C468NLMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 10.3 mW, 37 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C468NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical10.3 mW @ 10 VInspection40 V 37 A17.6 mW @ 4.5 V
nvmfs5c466n.pdf
NVMFS5C466NMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 8.1 mW, 49 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C466NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical40 V 8.1 mW @ 10 V 49 AInspection AEC-Q101 Qualifie
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918