NVMTS0D6N04C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVMTS0D6N04C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 533 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 7030 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00048 Ohm

Тип корпуса: DFNW8

Аналог (замена) для NVMTS0D6N04C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMTS0D6N04C даташит

 ..1. Size:389K  onsemi
nvmts0d6n04c.pdfpdf_icon

NVMTS0D6N04C

MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 0.48 mW, 533 A NVMTS0D6N04C Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Wettable Flank Plated for Enhanced Optical Inspection 40 V 0.48 mW @ 10 V 533 A AEC-Q101 Qualified and PPAP C

 7.1. Size:285K  onsemi
nvmts0d7n06cl.pdfpdf_icon

NVMTS0D6N04C

MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 0.68 mW, 477 A NVMTS0D7N06CL Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Power 88 Package, Industry Standard 0.68 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 60 V 477 A 0.90 mW @

 7.2. Size:246K  onsemi
nvmts0d7n04cl.pdfpdf_icon

NVMTS0D6N04C

NVMTS0D7N04CL MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 0.63 mW, 433 A Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Power 88 Package, Industry Standard 0.63 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 40 V 433 A 0.92 mW

 7.3. Size:243K  onsemi
nvmts0d7n04c.pdfpdf_icon

NVMTS0D6N04C

NVMTS0D7N04C MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 0.67 mW, 420 A Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Power 88 Package, Industry Standard AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 40 V 0.67 mW @ 10 V 420 A Wettab

Другие IGBT... NVMFS6H848NL, NVMFS6H852N, NVMFS6H852NL, NVMFS6H858N, NVMFS6H858NL, NVMFS6H864N, NVMFS6H864NL, NVMTS0D4N04CL, 75N75, NVMTS0D7N04C, NVMTS0D7N04CL, NVMTS0D7N06CL, NVMYS4D6N04CL, NVR5124PL, NVTFS002N04C, NVTFS002N04CL, NVTFS003N04C