NVMTS0D6N04C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NVMTS0D6N04C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 533 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 27.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 7030 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00048 Ohm
Тип корпуса: DFNW8
Аналог (замена) для NVMTS0D6N04C
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVMTS0D6N04C даташит
nvmts0d6n04c.pdf
MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 0.48 mW, 533 A NVMTS0D6N04C Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Wettable Flank Plated for Enhanced Optical Inspection 40 V 0.48 mW @ 10 V 533 A AEC-Q101 Qualified and PPAP C
nvmts0d7n06cl.pdf
MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 0.68 mW, 477 A NVMTS0D7N06CL Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Power 88 Package, Industry Standard 0.68 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 60 V 477 A 0.90 mW @
nvmts0d7n04cl.pdf
NVMTS0D7N04CL MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 0.63 mW, 433 A Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Power 88 Package, Industry Standard 0.63 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 40 V 433 A 0.92 mW
nvmts0d7n04c.pdf
NVMTS0D7N04C MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 0.67 mW, 420 A Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Power 88 Package, Industry Standard AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 40 V 0.67 mW @ 10 V 420 A Wettab
Другие IGBT... NVMFS6H848NL, NVMFS6H852N, NVMFS6H852NL, NVMFS6H858N, NVMFS6H858NL, NVMFS6H864N, NVMFS6H864NL, NVMTS0D4N04CL, 75N75, NVMTS0D7N04C, NVMTS0D7N04CL, NVMTS0D7N06CL, NVMYS4D6N04CL, NVR5124PL, NVTFS002N04C, NVTFS002N04CL, NVTFS003N04C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389





