NVMYS4D6N04CL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVMYS4D6N04CL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: LFPAK4

Аналог (замена) для NVMYS4D6N04CL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMYS4D6N04CL даташит

 ..1. Size:332K  onsemi
 nvmys4d6n04cl.pdf pdf_icon

NVMYS4D6N04CL

NVMYS4D6N04CL MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 4.5 mW, 78 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard 4.5 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 40 V 78 A 7.2 mW @ 4.5 V

Другие IGBT... NVMFS6H858NL, NVMFS6H864N, NVMFS6H864NL, NVMTS0D4N04CL, NVMTS0D6N04C, NVMTS0D7N04C, NVMTS0D7N04CL, NVMTS0D7N06CL, IRF1405, NVR5124PL, NVTFS002N04C, NVTFS002N04CL, NVTFS003N04C, NVTFS004N04C, NVTFS005N04C, NVTFS008N04C, NVTFS010N10MCL