Справочник MOSFET. NVMYS4D6N04CL

 

NVMYS4D6N04CL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVMYS4D6N04CL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK4
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMYS4D6N04CL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  onsemi
 nvmys4d6n04cl.pdf pdf_icon

NVMYS4D6N04CL

NVMYS4D6N04CLMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 4.5 mW, 78 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard4.5 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable40 V 78 A7.2 mW @ 4.5 V

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SWD10N65K2 | SLD65R700S2 | AP80SL400DI | GSM9565S | TK100E10N1 | FIR60N04LG | CRTS030N04L

 

 
Back to Top

 


 
.