Справочник MOSFET. NVTFS5C680NL

 

NVTFS5C680NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVTFS5C680NL
   Маркировка: 680L_80LW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 161 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0265 Ohm
   Тип корпуса: WDFN8
 

 Аналог (замена) для NVTFS5C680NL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVTFS5C680NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  onsemi
nvtfs5c680nl.pdfpdf_icon

NVTFS5C680NL

NVTFS5C680NLMOSFET Power, SingleN-Channel60 V, 26.5 mW, 20 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS5C680NLWF - Wettable Flanks Product26.5 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable60 V 20 A The

 6.1. Size:208K  onsemi
nvtfs5c673nl.pdfpdf_icon

NVTFS5C680NL

NVTFS5C673NLPower MOSFET60 V, 9.8 mW, 50 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS5C673NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are Ro

 6.2. Size:204K  onsemi
nvtfs5c670nl.pdfpdf_icon

NVTFS5C680NL

NVTFS5C670NLPower MOSFET60 V, 6.8 mW, 70 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS5C670NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are Ro

 6.3. Size:200K  onsemi
nvtfs5c658nl.pdfpdf_icon

NVTFS5C680NL

NVTFS5C658NLPower MOSFET60 V, 5.0 mW, 109 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS5C658NLWF - Wettable Flanks ProductV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable5.0 mW @ 10 V These Devices are Pb

Другие MOSFET... NVTFS5C454NL , NVTFS5C460NL , NVTFS5C466NL , NVTFS5C471NL , NVTFS5C478NL , NVTFS5C658NL , NVTFS5C670NL , NVTFS5C673NL , IRF540N , NVTFS6H850N , NVTFS6H850NL , NVTFS6H854N , NVTFS6H854NL , NVTFS6H860N , NVTFS6H860NL , NVTFS6H880N , NVTFS6H880NL .

History: FQAF7N90 | FQAF6N80 | SSM6N56FE | DMNH4006SPSQ-13

 

 
Back to Top

 


 
.