NVTFS5C680NL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NVTFS5C680NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 161 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0265 Ohm
Тип корпуса: WDFN8
Аналог (замена) для NVTFS5C680NL
NVTFS5C680NL Datasheet (PDF)
nvtfs5c680nl.pdf

NVTFS5C680NLMOSFET Power, SingleN-Channel60 V, 26.5 mW, 20 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS5C680NLWF - Wettable Flanks Product26.5 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable60 V 20 A The
nvtfs5c673nl.pdf

NVTFS5C673NLPower MOSFET60 V, 9.8 mW, 50 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS5C673NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are Ro
nvtfs5c670nl.pdf

NVTFS5C670NLPower MOSFET60 V, 6.8 mW, 70 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS5C670NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are Ro
nvtfs5c658nl.pdf

NVTFS5C658NLPower MOSFET60 V, 5.0 mW, 109 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS5C658NLWF - Wettable Flanks ProductV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable5.0 mW @ 10 V These Devices are Pb
Другие MOSFET... NVTFS5C454NL , NVTFS5C460NL , NVTFS5C466NL , NVTFS5C471NL , NVTFS5C478NL , NVTFS5C658NL , NVTFS5C670NL , NVTFS5C673NL , IRF540N , NVTFS6H850N , NVTFS6H850NL , NVTFS6H854N , NVTFS6H854NL , NVTFS6H860N , NVTFS6H860NL , NVTFS6H880N , NVTFS6H880NL .
History: OSG55R030HZF | NTMFS4C054N | 2SK827 | CHM4435AZGP | IPP070N06NG
History: OSG55R030HZF | NTMFS4C054N | 2SK827 | CHM4435AZGP | IPP070N06NG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10