NVTFS6H850N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVTFS6H850N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: WDFN8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NVTFS6H850N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVTFS6H850N даташит

 ..1. Size:197K  onsemi
 nvtfs6h850n.pdf pdf_icon

NVTFS6H850N

MOSFET Power, Single N-Channel 80 V, 9.5 mW, 68 A NVTFS6H850N Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS6H850NWF - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 80 V 9.5 mW @ 10 V 68 A These De

 0.1. Size:182K  onsemi
 nvtfs6h850nl.pdf pdf_icon

NVTFS6H850N

NVTFS6H850NL Power MOSFET 80 V, 8.6 mW, 64 A, Single N-Channel Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS6H850NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are Ro

 5.1. Size:199K  onsemi
 nvtfs6h854n.pdf pdf_icon

NVTFS6H850N

MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 14.5 mW, 48 A NVTFS6H854N Features www.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS6H854NWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 80 V 14.5 mW @ 10 V 48 A These De

 5.2. Size:267K  onsemi
 nvtfs6h854nl.pdf pdf_icon

NVTFS6H850N

MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 13.4 mW, 41 A NVTFS6H854NL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS6H854NLWF - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 13.4 mW @ 10 V These Devices ar

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVTFS5C460NL, NVTFS5C466NL, NVTFS5C471NL, NVTFS5C478NL, NVTFS5C658NL, NVTFS5C670NL, NVTFS5C673NL, NVTFS5C680NL, IRF540N, NVTFS6H850NL, NVTFS6H854N, NVTFS6H854NL, NVTFS6H860N, NVTFS6H860NL, NVTFS6H880N, NVTFS6H880NL, NVTFS6H888N