NVTFS6H850N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NVTFS6H850N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: WDFN8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NVTFS6H850N Datasheet (PDF)
nvtfs6h850n.pdf

MOSFET Power, SingleN-Channel80 V, 9.5 mW, 68 ANVTFS6H850NFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS6H850NWF - Wettable Flanks ProductV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable80 V 9.5 mW @ 10 V 68 A These De
nvtfs6h850nl.pdf

NVTFS6H850NLPower MOSFET80 V, 8.6 mW, 64 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS6H850NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are Ro
nvtfs6h854n.pdf

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 14.5 mW, 48 ANVTFS6H854NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS6H854NWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable80 V 14.5 mW @ 10 V 48 A These De
nvtfs6h854nl.pdf

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 13.4 mW, 41 ANVTFS6H854NLFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS6H854NLWF - Wettable Flanks ProductV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable13.4 mW @ 10 V These Devices ar
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: KX6N70 | CEM3138



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet