Справочник MOSFET. NVTFS6H850NL

 

NVTFS6H850NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVTFS6H850NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm
   Тип корпуса: WDFN8
 

 Аналог (замена) для NVTFS6H850NL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVTFS6H850NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  onsemi
nvtfs6h850nl.pdfpdf_icon

NVTFS6H850NL

NVTFS6H850NLPower MOSFET80 V, 8.6 mW, 64 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS6H850NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are Ro

 3.1. Size:197K  onsemi
nvtfs6h850n.pdfpdf_icon

NVTFS6H850NL

MOSFET Power, SingleN-Channel80 V, 9.5 mW, 68 ANVTFS6H850NFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS6H850NWF - Wettable Flanks ProductV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable80 V 9.5 mW @ 10 V 68 A These De

 5.1. Size:199K  onsemi
nvtfs6h854n.pdfpdf_icon

NVTFS6H850NL

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 14.5 mW, 48 ANVTFS6H854NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS6H854NWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable80 V 14.5 mW @ 10 V 48 A These De

 5.2. Size:267K  onsemi
nvtfs6h854nl.pdfpdf_icon

NVTFS6H850NL

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 13.4 mW, 41 ANVTFS6H854NLFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS6H854NLWF - Wettable Flanks ProductV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable13.4 mW @ 10 V These Devices ar

Другие MOSFET... NVTFS5C466NL , NVTFS5C471NL , NVTFS5C478NL , NVTFS5C658NL , NVTFS5C670NL , NVTFS5C673NL , NVTFS5C680NL , NVTFS6H850N , IRF640 , NVTFS6H854N , NVTFS6H854NL , NVTFS6H860N , NVTFS6H860NL , NVTFS6H880N , NVTFS6H880NL , NVTFS6H888N , NVTFS6H888NL .

History: IPB100N04S3-03 | 2SK868A

 

 
Back to Top

 


 
.