Справочник MOSFET. NVTFS6H854N

 

NVTFS6H854N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NVTFS6H854N

Маркировка: 854N_54NW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 68 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13 nC

Время нарастания (tr): 22 ns

Выходная емкость (Cd): 113 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0145 Ohm

Тип корпуса: WDFN8

Аналог (замена) для NVTFS6H854N

 

 

NVTFS6H854N Datasheet (PDF)

0.1. nvtfs6h854nl.pdf Size:267K _onsemi

NVTFS6H854N
NVTFS6H854N

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 13.4 mW, 41 ANVTFS6H854NLFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS6H854NLWF - Wettable Flanks ProductV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable13.4 mW @ 10 V These Devices ar

0.2. nvtfs6h854n.pdf Size:199K _onsemi

NVTFS6H854N
NVTFS6H854N

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 14.5 mW, 48 ANVTFS6H854NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS6H854NWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable80 V 14.5 mW @ 10 V 48 A These De

 5.1. nvtfs6h850n.pdf Size:197K _onsemi

NVTFS6H854N
NVTFS6H854N

MOSFET Power, SingleN-Channel80 V, 9.5 mW, 68 ANVTFS6H850NFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS6H850NWF - Wettable Flanks ProductV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable80 V 9.5 mW @ 10 V 68 A These De

5.2. nvtfs6h850nl.pdf Size:182K _onsemi

NVTFS6H854N
NVTFS6H854N

NVTFS6H850NLPower MOSFET80 V, 8.6 mW, 64 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS6H850NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are Ro

Другие MOSFET... CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , IRFZ44A , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , CEM3407L , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 .

 

 
Back to Top