Справочник MOSFET. NVTFS6H880NL

 

NVTFS6H880NL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVTFS6H880NL
   Маркировка: 880L_80LW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: WDFN8

 Аналог (замена) для NVTFS6H880NL

 

 

NVTFS6H880NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  onsemi
 nvtfs6h880nl.pdf

NVTFS6H880NL NVTFS6H880NL

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 29 mW, 22 ANVTFS6H880NLFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVTFS6H880NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 29 mW @ 10 V80 V22 A These Devi

 3.1. Size:198K  onsemi
 nvtfs6h880n.pdf

NVTFS6H880NL NVTFS6H880NL

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 32 mW, 22 ANVTFS6H880NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS6H880NWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable80 V 32 mW @ 10 V 22 A These Device

 5.1. Size:267K  onsemi
 nvtfs6h888nl.pdf

NVTFS6H880NL NVTFS6H880NL

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 50 mW, 14 ANVTFS6H888NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVTFS6H888NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 50 mW @ 10 V80 V14 A These Dev

 5.2. Size:202K  onsemi
 nvtfs6h888n.pdf

NVTFS6H880NL NVTFS6H880NL

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 55 mW, 13 ANVTFS6H888NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS6H888NWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable80 V 55 mW @ 10 V 13 A These Device

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top