NVTFS6H880NL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NVTFS6H880NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: WDFN8
Аналог (замена) для NVTFS6H880NL
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVTFS6H880NL даташит
nvtfs6h880nl.pdf
MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 29 mW, 22 A NVTFS6H880NL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVTFS6H880NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 29 mW @ 10 V 80 V 22 A These Devi
nvtfs6h880n.pdf
MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 32 mW, 22 A NVTFS6H880N Features www.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS6H880NWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 80 V 32 mW @ 10 V 22 A These Device
nvtfs6h888nl.pdf
MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 50 mW, 14 A NVTFS6H888NL Features www.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVTFS6H888NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 50 mW @ 10 V 80 V 14 A These Dev
nvtfs6h888n.pdf
MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 55 mW, 13 A NVTFS6H888N Features www.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS6H888NWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 80 V 55 mW @ 10 V 13 A These Device
Другие MOSFET... NVTFS5C680NL , NVTFS6H850N , NVTFS6H850NL , NVTFS6H854N , NVTFS6H854NL , NVTFS6H860N , NVTFS6H860NL , NVTFS6H880N , IRF640N , NVTFS6H888N , NVTFS6H888NL , NVTFS9D6P04M8L , STD25P03L , PJM02N60SA , PJM07P20SA , PJM10H03NSC , PJM138NSA .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801




