Справочник MOSFET. STV36N06

 

STV36N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STV36N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   trⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SO10
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STV36N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  st
stv36n06.pdfpdf_icon

STV36N06

Другие MOSFET... STP8NA50FI , STP9N30 , STP9NA50 , STP9NA50FI , STV10NA40 , STV12N20 , STV18N20 , STV33N10 , MMIS60R580P , STV3NA80 , STV40N05 , STV40N10 , STV4N100 , STV4NA60 , STV4NA80 , STV50N05 , STV50N06 .

History: IRF460B | MTP5N60 | VN1204N5 | TMP2N60Z | CM8N80 | SIHF840 | IRF6610

 

 
Back to Top

 


 
.