STV36N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STV36N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
trⓘ - Время нарастания: 280 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SO10
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STV36N06 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... STP8NA50FI , STP9N30 , STP9NA50 , STP9NA50FI , STV10NA40 , STV12N20 , STV18N20 , STV33N10 , MMIS60R580P , STV3NA80 , STV40N05 , STV40N10 , STV4N100 , STV4NA60 , STV4NA80 , STV50N05 , STV50N06 .
History: IRF460B | MTP5N60 | VN1204N5 | TMP2N60Z | CM8N80 | SIHF840 | IRF6610
History: IRF460B | MTP5N60 | VN1204N5 | TMP2N60Z | CM8N80 | SIHF840 | IRF6610



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor