Справочник MOSFET. PJM3400NSA

 

PJM3400NSA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PJM3400NSA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для PJM3400NSA

 

 

PJM3400NSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2260K  pjsemi
 pjm3400nsa.pdf

PJM3400NSA PJM3400NSA

PJM3400NSAN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23 Features VDS = 30V,ID = 5.8ARDS(ON)

 5.1. Size:3436K  pjsemi
 pjm3400nsc.pdf

PJM3400NSA PJM3400NSA

PJM3400NSCN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23-3 Features VDS = 30V,ID = 5.8ARDS(ON)

 8.1. Size:3580K  pjsemi
 pjm3401psc.pdf

PJM3400NSA PJM3400NSA

PJM3401PSCP-Channel Power MOSFETSOT-23-3 Features VDS= -30V I = -4.5AD RDS(ON)= 60m(max) @-10V2 Halogen and Antimony Free31Applications1. Gate 2.Source 3.Drain Load Switch and in PWM ApplicationsMarking: P1Schematic DiagramDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise specified.Parameter Symbol Valu

 8.2. Size:2604K  pjsemi
 pjm3401psa.pdf

PJM3400NSA PJM3400NSA

PJM3401PSA P-Enhancement Field Effect TransistorFeaturesSOT-23 High density cell design for ultra low RDS(ON) Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: R1ApplicationsSchematic Diagram Power switching applicationDrain3 Hard switched and high frequency circuits Unint

 8.3. Size:1464K  pjsemi
 pjm3407psa.pdf

PJM3400NSA PJM3400NSA

PJM3407PSAP Enhancement Field Effect TransistorSOT-23Features VDS=-30V, ID=-4.1ARDS(on)=50m (Typ.)@VGS=-10V High density cell design for ultra low RDS(ON) Low gate charge1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: R7ApplicationsSchematic Diagram Load Switch and in PWM ApplicationsDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless ot

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top