PJM3401PSA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PJM3401PSA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.2(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для PJM3401PSA
PJM3401PSA Datasheet (PDF)
pjm3401psa.pdf

PJM3401PSA P-Enhancement Field Effect TransistorFeaturesSOT-23 High density cell design for ultra low RDS(ON) Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: R1ApplicationsSchematic Diagram Power switching applicationDrain3 Hard switched and high frequency circuits Unint
pjm3401psc.pdf

PJM3401PSCP-Channel Power MOSFETSOT-23-3 Features VDS= -30V I = -4.5AD RDS(ON)= 60m(max) @-10V2 Halogen and Antimony Free31Applications1. Gate 2.Source 3.Drain Load Switch and in PWM ApplicationsMarking: P1Schematic DiagramDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise specified.Parameter Symbol Valu
pjm3400nsa.pdf

PJM3400NSAN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23 Features VDS = 30V,ID = 5.8ARDS(ON)
pjm3407psa.pdf

PJM3407PSAP Enhancement Field Effect TransistorSOT-23Features VDS=-30V, ID=-4.1ARDS(on)=50m (Typ.)@VGS=-10V High density cell design for ultra low RDS(ON) Low gate charge1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: R7ApplicationsSchematic Diagram Load Switch and in PWM ApplicationsDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless ot
Другие MOSFET... PJM2302NSA , PJM2302NSA-S , PJM2305PSA , PJM2309PSA , PJM2309PSC , PJM2319PSA , PJM3400NSA , PJM3400NSC , 5N60 , PJM3401PSC , PJM3407PSA , PJM3415PSA , PJM84PSA , EM6M2 , LSK3019FP8 , LSK3541FS8 , RD3P200SNFRA .
History: HFW12N60S | FTP50N20R | SSI3N80A | RRR040P03FRA | IRL6342PBF | WML15N65C4 | WMJ38N60C2
History: HFW12N60S | FTP50N20R | SSI3N80A | RRR040P03FRA | IRL6342PBF | WML15N65C4 | WMJ38N60C2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337