STV40N10 - описание и поиск аналогов

 

STV40N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STV40N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SO10

Аналог (замена) для STV40N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STV40N10 даташит

 ..1. Size:326K  st
stv40n10.pdfpdf_icon

STV40N10

 8.1. Size:291K  st
stv40ne03l-20.pdfpdf_icon

STV40N10

STV40NE03L-20 N - CHANNEL 30V - 0.014 - 40A - PowerSO-10 STripFET MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STV40NE03L-20 30 V

 8.2. Size:328K  st
stv40n05.pdfpdf_icon

STV40N10

Другие MOSFET... STP9NA50FI , STV10NA40 , STV12N20 , STV18N20 , STV33N10 , STV36N06 , STV3NA80 , STV40N05 , P60NF06 , STV4N100 , STV4NA60 , STV4NA80 , STV50N05 , STV50N06 , STV55N05L , STV55N06L , STV5NA50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.