SCT2280KE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SCT2280KE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.364 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для SCT2280KE
SCT2280KE Datasheet (PDF)
sct2280ke.pdf
SCT2280KEN-channel SiC power MOSFET DatasheetOutline TO-247VDSS1200VRDS(on) (Typ.)280mID14A(3)PD (2)108W(1)Inner circuit(2)Features(1) Gate1) Low on-resistance(2) Drain*12) Fast switching speed (3) Source(1)3) Fast reverse recovery*1 Body Diode4) Easy to parallel(3)5) Simple to drivePackaging specifications6) Pb-free lead
Другие MOSFET... RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE , IRF1407 , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL , SP8M24FRA , UM5K1N .
History: SE4607 | 2SK3652 | JMPL1025AE | SSI7N60B | SWP630D | SKQ55P02AD
History: SE4607 | 2SK3652 | JMPL1025AE | SSI7N60B | SWP630D | SKQ55P02AD
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet


