Справочник MOSFET. OSG60R180FF

 

OSG60R180FF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG60R180FF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 49.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG60R180FF

 

 

OSG60R180FF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1029K  oriental semi
 osg60r180ff.pdf

OSG60R180FF OSG60R180FF

 4.1. Size:916K  oriental semi
 osg60r180ft3f.pdf

OSG60R180FF OSG60R180FF

 4.2. Size:873K  oriental semi
 osg60r180fsf.pdf

OSG60R180FF OSG60R180FF

 4.3. Size:902K  oriental semi
 osg60r180fsf-nb.pdf

OSG60R180FF OSG60R180FF

 4.4. Size:1016K  oriental semi
 osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdf

OSG60R180FF OSG60R180FF

OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top