OSG65R1K4AF - описание и поиск аналогов

 

OSG65R1K4AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: OSG65R1K4AF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для OSG65R1K4AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R1K4AF даташит

 ..1. Size:1166K  oriental semi
osg65r1k4af osg65r1k4df osg65r1k4ff osg65r1k4pf.pdfpdf_icon

OSG65R1K4AF

OSG65R1K4xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R1K4AF, OSG65R1K4DF, OSG65R1K4FF, OSG65R1K4PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Genera

 ..2. Size:1035K  oriental semi
osg65r1k4af.pdfpdf_icon

OSG65R1K4AF

 5.1. Size:1086K  oriental semi
osg65r1k4df.pdfpdf_icon

OSG65R1K4AF

 5.2. Size:996K  oriental semi
osg65r1k4ff.pdfpdf_icon

OSG65R1K4AF

Другие MOSFET... OSG55R160FZF , OSG60R180FF , OSG60R180PSF , OSG60R180FSF , OSG60R180ISF , OSG60R180HSF , OSG60R180KSF , OSG60R580FTF , IRF1405 , OSG65R1K4DF , OSG65R1K4FF , OSG65R1K4PF , OSG65R260FSF_NB , OSG65R290DEF , OSG65R290FEF , OSG65R290KEF , OSG65R360DTF .

History: AOC3860C | D2N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.