OSG65R1K4DF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG65R1K4DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R1K4DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6.7 nC
   Время нарастания (tr): 20.7 ns
   Выходная емкость (Cd): 21.1 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG65R1K4DF

OSG65R1K4DF Datasheet (PDF)

..1. Size:1166K oriental semi
osg65r1k4af osg65r1k4df osg65r1k4ff osg65r1k4pf.pdf

OSG65R1K4xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R1K4AF, OSG65R1K4DF, OSG65R1K4FF, OSG65R1K4PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Genera

..2. Size:1086K oriental semi
osg65r1k4df.pdf