Справочник MOSFET. OSG65R1K4DF

 

OSG65R1K4DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG65R1K4DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для OSG65R1K4DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R1K4DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1166K  oriental semi
osg65r1k4af osg65r1k4df osg65r1k4ff osg65r1k4pf.pdfpdf_icon

OSG65R1K4DF

OSG65R1K4xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R1K4AF, OSG65R1K4DF, OSG65R1K4FF, OSG65R1K4PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Genera

 ..2. Size:1086K  oriental semi
osg65r1k4df.pdfpdf_icon

OSG65R1K4DF

 5.1. Size:996K  oriental semi
osg65r1k4ff.pdfpdf_icon

OSG65R1K4DF

 5.2. Size:1035K  oriental semi
osg65r1k4af.pdfpdf_icon

OSG65R1K4DF

Другие MOSFET... OSG60R180FF , OSG60R180PSF , OSG60R180FSF , OSG60R180ISF , OSG60R180HSF , OSG60R180KSF , OSG60R580FTF , OSG65R1K4AF , MMIS60R580P , OSG65R1K4FF , OSG65R1K4PF , OSG65R260FSF_NB , OSG65R290DEF , OSG65R290FEF , OSG65R290KEF , OSG65R360DTF , OSG65R380DEF .

History: NCE65TF099F | WMK023N08HGS | BRCS4614SC | AP2301 | SSG4530C | FKI10198

 

 
Back to Top

 


 
.